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AN1F4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1F4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1F4Z Datenblatt (jpg):-
AN1F4Z Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AA1F4Z
Ähnliche Typen:DTA124TS, [mehr]
DTA124TS,KSR2011,UN4117,2SA1590
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AN1F4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1F4Z
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DTA124TS,KSR2011,UN4117,2SA1590
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AN1F4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1F4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1F4Z
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DTA124TS,KSR2011,UN4117,2SA1590
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2011
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR2011 Datenblatt (jpg):verfügbar
KSR2011 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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KSR2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2011
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Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2011
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4117


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4117 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4117
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4117 Datenblatt (jpg):-
UN4117 Datenblatt (pdf):-
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UN4117


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4117 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4117
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4117 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
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UN4117


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4117 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4117
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN4117 Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SA1590


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1590 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1590
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1590 Datenblatt (jpg):-
2SA1590 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC4121
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AN1F4Z,DTA124TS,KSR2011,UN4117
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2SA1590


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1590 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1590
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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Komplementär Typ:2SC4121
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AN1F4Z,DTA124TS,KSR2011,UN4117
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2SA1590


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1590 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1590
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1590 Datenblatt (jpg):-
2SA1590 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SC4121
Ähnliche Typen:AN1F4Z, [mehr]
AN1F4Z,DTA124TS,KSR2011,UN4117
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